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参数资料
| 型号： | NTD3055-094 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 94 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 450pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 管件 |
NTD3055 ? 094, NVD3055 ? 094
TYPICAL CHARACTERISTICS
24
20
16
12
8
V GS = 10 V
9V
8V
7V
6.5 V
6V
5.5 V
5V
24
20
16
12
8
V DS ≥ 10 V
T J = 25 ° C
4
0
0
1
2
3
4
4.5 V
5
4
0
3
T J = 100 ° C
3.5 4
4.5
T J = ? 55 ° C
5 5.5
6
6.5
7
7.5
8
0.20
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.20
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.18
0.16
0.14
0.12
V GS = 10 V
T J = 100 ° C
0.18
0.16
0.14
0.12
V GS = 15 V
T J = 100 ° C
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
4
8
12
16
20
24
0
0
4
8
12
16
20
24
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? to ? Source Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2
1.8
I D = 6 A
V GS = 10 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.6
1.4
1.2
100
1
0.8
0.6
10
1
T J = 100 ° C
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASA1-38.400MHZ-L-T3 | OSC 38.400 MHZ 2.5V SMD |
| FXO-HC736R-66 | OSC 66.00 MHZ 3.3V SMD |
| ASA1-38.000MHZ-L-T3 | OSC 38.000 MHZ 2.5V SMD |
| FQU2N80TU | MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK |
| NTD25P03LG | MOSFET P-CH 30V 25A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD3055-094/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 12 Amps， 60 Volts |
| NTD3055-094-1 | 功能描述:MOSFET 60V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD3055-094-1G | 功能描述:MOSFET 60V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD3055-094G | 功能描述:MOSFET 60V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD3055-094T4 | 功能描述:MOSFET 60V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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