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参数资料
| 型号： | NTD35 |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 0.3 A, 35000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | NTD35 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTE4980 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| NTE5534 | 65 A, 600 V, SCR |
| NTE5594 | 850 A, 200 V, SCR |
| NTE5595 | 850 A, 600 V, SCR |
| NTE5596 | 850 A, 1200 V, SCR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD3808N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 16 V, 76 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK |
| NTD3808N-1G | 功能描述:MOSFET N-CH 16V 12A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTD3808N-35G | 功能描述:MOSFET N-CH 16V 12A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTD3808NT4G | 功能描述:MOSFET N-CH 16V 12A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTD3813N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 16 V, 51 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK |
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