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参数资料
| 型号： | NTD3813N-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Dec/2008 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 16V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.75 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 963pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD3813N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
45
40
35
10 V
4.5 V
4V
T J = 25 ° C
3.8 V
45
40
35
V DS ≥ 10 V
30
25
20
3.6 V
3.4 V
30
25
20
15
3.2 V
15
T J = 125 ° C
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3.0 V
2.8 V
3
10
5
0
1
T J = 25 ° C
2
3
T J = -55 ° C
4
5
0.08
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On-Region Characteristics
0.018
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.07
0.06
0.05
I D = 15 A
T J = 25 ° C
0.016
0.014
0.012
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.04
0.03
0.02
0.01
0.010
0.008
0.006
V GS = 10 V
0
3
4
5
6
7
8
9
10
0.004
5
10
15
20
25
30
35
40
1.6
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On-Resistance vs. Gate-to-Source
Voltage
I D = 15 A
10000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
1.4
V GS = 10 V
T J = 175 ° C
1000
1.2
1.0
0.8
100
T J = 125 ° C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
5
7
9
11
13
15
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On-Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain-to-Source Leakage Current
vs. Drain Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3549S-1AA-104A | POT 100K OHM 7/8" RD WW |
| AML21JBA3DC | SWITCH PUSHBUTTON 4PDT 0.1A 125V |
| ASG-D-X-B-106.250MHZ-T | OSC 106.250 MHZ 2.5V LVDS SMD |
| ASG-D-X-A-106.250MHZ-T | OSC 106.250 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| NTD3808N-35G | MOSFET N-CH 16V 12A IPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD3813N-35G | 功能描述:MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTD3813NT4G | 功能描述:MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTD3817N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 16 V, 34.5 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK |
| NTD3817N-1G | 功能描述:MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTD3817N-35G | 功能描述:MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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