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参数资料
| 型号： | NTD4302T4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET DPAK Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 1.04W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTD4302T4GOSDKR |
NTD4302
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? Source Breakdown Voltage
(V GS = 0 Vdc, I D = 250 m A)
Positive Temperature Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
(V GS = 0 Vdc, V DS = 30 Vdc, T J = 25 ° C)
(V GS = 0 Vdc, V DS = 30 Vdc, T J = 125 ° C)
Gate ? Body Leakage Current (V GS = ± 20 Vdc, V DS = 0 Vdc)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
30
?
?
?
?
?
25
?
?
?
?
?
1.0
10
± 100
Vdc
mV/ ° C
m Adc
nAdc
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
(V DS = V GS , I D = 250 m Adc)
Negative Temperature Coefficient
Static Drain ? Source On ? State Resistance
(V GS = 10 Vdc, I D = 20 Adc)
(V GS = 10 Vdc, I D = 10 Adc)
(V GS = 4.5 Vdc, I D = 5.0 Adc)
Forward Transconductance (V DS = 15 Vdc, I D = 10 Adc)
V GS(th)
R DS(on)
gFS
1.0
?
?
?
?
?
1.9
? 3.8
0.0078
0.0078
0.010
20
3.0
?
0.010
0.010
0.013
?
Vdc
W
Mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
(V DS = 24 Vdc, V GS = 0 Vdc,
f = 1.0 MHz)
C iss
C oss
C rss
?
?
?
2050
640
225
2400
800
310
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 6)
Turn ? On Delay Time
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
Turn ? On Delay Time
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
Turn ? On Delay Time
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
Gate Charge
(V DD = 25 Vdc, I D = 1.0 Adc,
V GS = 10 Vdc,
R G = 6.0 W )
(V DD = 25 Vdc, I D = 1.0 Adc,
V GS = 10 Vdc,
R G = 2.5 W )
(V DD = 24 Vdc, I D = 20 Adc,
V GS = 10 Vdc,
R G = 2.5 W )
(V DS = 24 Vdc, I D = 2.0 Adc,
V GS = 10 Vdc)
t d(on)
t r
t d(off)
t f
t d(on)
t r
t d(off)
t f
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q T
Q gs (Q1)
Q gd (Q2)
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
11
15
85
55
11
13
55
40
15
25
40
58
55
5.5
15
20
25
130
90
20
20
90
75
?
?
?
?
80
?
?
ns
ns
ns
nC
BODY ? DRAIN DIODE RATINGS (Note 5)
Diode Forward On ? Voltage
(I S = 2.3 Adc, V GS = 0 Vdc)
(I S = 20 Adc, V GS = 0 Vdc)
(I S = 2.3 Adc, V GS = 0 Vdc, T J = 125 ° C)
V SD
?
?
?
0.75
0.90
0.65
1.0
?
?
Vdc
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Stored Charge
(I S = 2.3 Adc, V GS = 0 Vdc,
dI S /dt = 100 A/ m s)
t rr
t a
t b
Q rr
?
?
?
?
39
20
19
0.043
65
?
?
?
ns
m C
5. Indicates Pulse Test: Pulse Width = 300 m sec max, Duty Cycle ≤ 2%.
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
http://onsemi.com
2
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