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参数资料
| 型号： | NTD4810N-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1350pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.28W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD4810N, NVD4810N
Power MOSFET
30 V, 54 A, Single N ? Channel, DPAK/IPAK
Features
? Low R DS(on) to Minimize Conduction Losses
? Low Capacitance to Minimize Driver Losses
? Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
? AEC ? Q101 Qualified and PPAP Capable ? NVD4810N
? These Devices are Pb ? Free and are RoHS Compliant
Applications
? CPU Power Delivery
? DC ? DC Converters
V (BR)DSS
30 V
http://onsemi.com
R DS(on) MAX
10 m W @ 10 V
15.7 m W @ 4.5 V
D
I D MAX
54 A
MAXIMUM RATINGS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter Symbol
Drain ? to ? Source Voltage
V DSS
Value
30
Unit
V
G
N ? Channel
Gate ? to ? Source Voltage
V GS
" 20
V
S
Continuous Drain
Current (R q JA ) (Note 1)
Power Dissipation
(R q JA ) (Note 1)
Continuous Drain
Current (R q JA ) (Note 2)
Power Dissipation
(R q JA ) (Note 2)
Continuous Drain
Current (R q JC )
(Note 1)
Power Dissipation
(R q JC ) (Note 1)
Pulsed Drain Current
Steady
State
t p =10 m s
T A = 25 ° C
T A = 85 ° C
T A = 25 ° C
T A = 25 ° C
T A = 85 ° C
T A = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 85 ° C
T C = 25 ° C
T A = 25 ° C
I D
P D
I D
P D
I D
P D
I DM
12.4
9.6
2.62
9
7
1.4
54
42
50
120
A
W
A
W
A
W
A
4
1 2
3
CASE 369AA
DPAK
(Bent Lead)
STYLE 2
MARKING DIAGRAM
& PIN ASSIGNMENT
4
Drain
Current Limited by Package
T A = 25 ° C
I DmaxPkg
45
A
Operating Junction and Storage Temperature
T J , T stg
? 55 to
175
° C
Source Current (Body Diode)
Drain to Source dV/dt
Single Pulse Drain ? to ? Source Avalanche
Energy (V DD = 24 V, V GS = 10 V,
L = 1.0 mH, I L(pk) = 14 A, R G = 25 W )
Lead Temperature for Soldering Purposes
(1/8 ″ from case for 10 s)
I S
dV/dt
E AS
T L
41
6.0
98
260
A
V/ns
mJ
° C
Y
WW
4810N
2
1 Drain 3
Gate Source
= Year
= Work Week
= Device Code
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
G = Pb ? Free Package
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 6 of this data sheet.
? Semiconductor Components Industries, LLC, 2011
October, 2011 ? Rev. 10
1
Publication Order Number:
NTD4810N/D
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NTD4810NH-35G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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