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参数资料
| 型号： | NTD4815NH-35G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6.9A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 845pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.26W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD4815NH
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1200
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
15
25
1000
C iss
12
Q T
20
800
9
V DS
V GS
15
600
400
C oss
6
Q 1
Q 2
10
200
0
0
C rss
5
10
15
20
25
30
3
0
0
2
4
6 8
I D = 30 A
T J = 25 ° C
10 12 14 16 18
5
0
20
DRAIN--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate--To--Source and Drain--To--Source
Voltage vs. Total Charge
100
10
V DD = 15 V
I D = 30 A
V GS = 11.5 V
t d(off)
t r
35
30
25
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
15
t d(on)
t f
10
5
1
1
10
100
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE--TO--DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
100
10 m s
40
35
30
25
I D = 15.4 A
10
1
0.1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
100 m s
1 ms
10 ms
dc
100
20
15
10
5
0
25
50 75
100 125
150
175
V DS , DRAIN--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD4815NH-1G | MOSFET N-CH 30V 6.9A IPAK |
| NTD4813NH-35G | MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK |
| BB-133.000MBE-T | OSC 133.000 MHZ 3.3V LVPECL SMD |
| 3852A-202-102AL | POT 1.0K OHM 3/4" RD CERM |
| 3852A-166-103AL | POT 10K OHM 3/4" RD CERM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4815NHT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 40A 13MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4815NT4G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 35A 15MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4854N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 25 V, 128 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK |
| NTD4854N-1G | 功能描述:MOSFET PWR MSFT 25V 124A SINGLE N-CHNL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4854N-35G | 功能描述:MOSFET PWR MSFT 25V 124A SINGLE N-CHNL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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