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参数资料
| 型号： | NTD4855N-35G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 14A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.3 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2950pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.35W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD4855N
ORDERING INFORMATION
Device
NTD4855NT4G
NTD4855NT4H
NTD4855N--1G
NTD4855N--35G
Package
DPAK
(Pb--Free)
DPAK
(Pb--Free, Halide--Free)
IPAK
(Pb--Free)
IPAK Trimmed Lead
(3.5 ? 0.15 mm)
(Pb--Free)
Shipping ?
2500 / Tape & Reel
2500 / Tape & Reel
75 Units / Rail
75 Units / Rail
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
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PDF描述 |
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| NTD4855N-1G | MOSFET N-CH 25V 14A IPAK |
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| NTD4854N-35G | MOSFET N-CH 25V 15.7A IPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4855NT4G | 功能描述:MOSFET NFET 25V 98A 0.0033R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4855NT4H | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| NTD4856N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 25 V, 89 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK |
| NTD4856N-1G | 功能描述:MOSFET NFET 25V 89A 0.0047R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4856N-35G | 功能描述:MOSFET NFET 25V 89A 0.0047R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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