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参数资料
| 型号： | NTD4855NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 14A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 30/Sept/2011 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.3 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2950pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.35W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD4855N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
90
80
10 V
3.8 V
3.6 V
T J = 25 ° C
3.4 V
140
130
120
V DS ≥ 10 V
70
60
50
40
3.2 V
110
100
90
80
70
60
30
20
10
0
0
1
2
3
4
3.0 V
2.8 V
5
50
40
30
20
10
0
1
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
2
T J = --55 ° C
3
4
5
0.04
V DS , DRAIN--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On--Region Characteristics
0.007
V GS , GATE--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.035
0.03
0.025
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.006
0.005
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.02
0.015
0.01
0.005
0.004
0.003
V GS = 11.5 V
0
2
4
6
8
10
0.002
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
1.8
V GS , GATE--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On--Resistance vs. Gate--to--Source
Voltage
10000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On--Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.6
I D = 30 A
V GS = 10 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.4
1.2
1.0
100
T J = 125 ° C
0.8
10
T J = 25 ° C
0.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
5
10
15
20
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On--Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain--to--Source Leakage Current
vs. Drain Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD4856NT4G | MOSFET N-CH 25V 13.3A DPAK |
| NTD4857NT4G | MOSFET N-CH 25V 12A DPAK |
| NTD4860NT4G | MOSFET N-CH 25V 10.4A DPAK |
| NTD4863NA-35G | MOSFET N-CH 25V 49A SGL IPAK |
| NTD4865NT4G | MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4855NT4H | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| NTD4856N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 25 V, 89 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK |
| NTD4856N-1G | 功能描述:MOSFET NFET 25V 89A 0.0047R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4856N-35G | 功能描述:MOSFET NFET 25V 89A 0.0047R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4856NT4G | 功能描述:MOSFET NFET 25V 89A 0.0047R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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