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参数资料
| 型号： | NTD4904N-35G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 79A SGL IPAK |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.7 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3052pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD4904N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
100
10
50% (DUTY CYCLE)
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0
1.0%
0.1
SINGLE PULSE
0.01
PSi TAB-A
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
PULSE TIME (s)
Figure 13. FET Thermal Response
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
V DS = 1.5 V
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
ID (A)
Figure 14. GFS vs ID
ORDERING INFORMATION
Order Number
NTD4904NT4G
NTD4904N ? 1G
NTD4904N ? 35G
Package
DPAK
(Pb ? Free)
IPAK
(Pb ? Free)
IPAK Trimmed Lead
(Pb ? Free)
Shipping ?
2500 / Tape & Reel
75 Units / Rail
75 Units / Rail
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCN1206A122J-H2 | CAP FILM 1200PF 100VDC 1206 |
| MS13ASG30 | SW SLIDE SPDT GOLD W/BRKT RA PC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4904NT4G | 功能描述:MOSFET NFET IPAK 30V 79A 3.7 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4905N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 67 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK |
| NTD4905N-1G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 67A 4.5 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4905N-35G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 67A 4.5 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4905NT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 67A 4.5 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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