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参数资料
| 型号： | NTD4905NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 67A SGL DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 05/Oct/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2340pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD4905N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
110
100
90
80
10 V
4 V to 6 V
T J = 25 ° C
3.8 V
3.6 V
110
100
90
80
V DS ≥ 10 V
70
60
3.4 V
3.2 V
70
60
50
40
30
3.0 V
2.8 V
50
40
30
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
20
10
0
0
1
2
3
4
2.6 V
2.4 V
5
20
10
0
2
2.5
T J = ? 55 ° C
3
3.5
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.015
0.013
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.007
T J = 25 ° C
0.006
0.011
0.009
0.007
0.005
V GS = 4.5 V
0.005
0.004
V GS = 10 V
0.003
3
4
5
6
7
8
9
10
0.003
20
30
40
50
60
70
80
90
100 110
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2.2
2.0
I D = 30 A
V GS = 10 V
10,000
V GS = 0 V
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
1000
100
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
T J = 85 ° C
0.6
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Drain Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-HC535-1.1 | OSC 1.1 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| FXO-HC535-1.5 | OSC 1.5 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| ATS061CSM-1 | CRYSTAL 6.144 MHZ 32PF SMD |
| ATS051SM-1 | CRYSTAL 5.0688 MHZ SERIES SMD |
| ATS050CSM-1 | CRYSTAL 5.0 MHZ SERIES SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4906N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 54 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK |
| NTD4906N-1G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 54A 5.5 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4906N-35G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 54A 5.5 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4906NA-1G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 54A 5.5 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4906NA-35G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 54A 5.5 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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