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参数资料
| 型号： | NTD4965N-35G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 68A IPAK-3 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.7 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1710pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.39W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD4965N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
90
80
70
60
50
40
30
20
10 V thru 4.5 V
T J = 25 ° C
V GS = 3.7 V
3.5 V
3.3 V
3.1 V
2.9 V
90
80
70
60
50
40
30
20
V DS = 10 V
T J = 25 ° C
10
0
0
1
2
3
4
2.7 V
5
10
0
1
T J = 125 ° C
2
T J = ? 55 ° C
3
4
5
15
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
8.0
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
I D = 30 A
T J = 25 ° C
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
T J = 25 ° C
3
2.5
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2.0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
I D = 30 A
V GS = 10 V
10000
1000
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
100
T J = 85 ° C
0.7
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
5
10
15
20
V GS = 0 V
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FD4800050 | OSC 48MHZ 1.8V SMD |
| FCP1206C123G-H1 | CAP FILM 0.012UF 16VDC 1206 |
| FN6250028 | OSC 62.5MHZ 3.3V SMD |
| FN6250027 | OSC 62.5MHZ 3.3V SMD |
| FN6000035 | OSC 60MHZ 3.3V SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4965NT4G | 功能描述:MOSFET TRENCH 3.1 30V 4 mOhm NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4969N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 41 A, Single N?Channel, DPAK/IPAK CPU Power Delivery |
| NTD4969N-1G | 功能描述:MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4969N-35G | 功能描述:MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4969NT4G | 功能描述:MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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