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参数资料
| 型号： | NTD6416AN-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 17A IPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET IPAK-3 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 81 毫欧 @ 17A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 620pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 71W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTD6416AN-1G-ND NTD6416AN-1GOS |
NTD6416AN, NVD6416AN
TYPICAL CHARACTERISTICS
40
T J = 25 ° C
10 V
7.5 V
40
35
V DS w 10 V
30
6.5 V
30
20
6.0 V
5.5 V
25
20
15
10
5.0 V
10
5
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0
0
2
4
6
8
4.5 V
10
0
2
3
4
T J = ? 55 ° C
5
6
7
8
0.11
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.25
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.10
0.09
I D = 17 A
T J = 25 ° C
0.20
0.15
V GS = 10 V
T J = 175 ° C
T J = 125 ° C
0.08
0.07
0.10
0.05
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.06
5
6
7
8
9
10
0.00
8
10
12
14
16
18
20
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Region versus Gate Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
3
2.5
2
I D = 17 A
V GS = 10 V
10000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.5
100
1
T J = 125 ° C
0.5
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD6416ANL-1G | MOSFET N-CH 100V 19A DPAK |
| NTD65N03RT4G | MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK |
| NTD6600N-1G | MOSFET N-CH 100V 12A IPAK |
| NTD70N03R-1G | MOSFET N-CH 25V 10A IPAK |
| NTD78N03T4G | MOSFET N-CHAN 25V 78A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD6416ANL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 19 A, 74 mΩ |
| NTD6416ANL-1G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 100V 15A 86MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD6416ANLT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 100V 17A 106MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD6416ANT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 100V 19A 96MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD6416ANT4G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:NTD Series N-Channel 100 V 81 mOhm 71 W Surface Mount Power MOSFET - DPAK-3 |
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