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参数资料
| 型号： | NTD70N03RT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 10A DPAK |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1333pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.36W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTD70N03RT4OSDKR |
NTD70N03R
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
175
10 V
5V
T J = 25 ° C
150
V DS ≥ 10 V
150
8V
6V
4.5 V
125
125
100
75
4.2 V
4V
3.8 V
3.6 V
100
75
50
3.4 V
3.2 V
50
T J = 25 ° C
25
0
3V
2.8 V
2.6 V
2.4 V
25
0
T J = 175 ° C
T J = -55 ° C
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
0.05
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On-Region Characteristics
0.016
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.04
I D = 72 A
T J = 25 ° C
0.012
V GS = 10 V
T J = 175 ° C
0.03
0.02
0.01
0.008
0.004
T J = 25 ° C
T J = -55 ° C
0
2
4
6
8
10
0
10
30
50
70
90
110
130
150
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On-Resistance versus
Gate-to-Source Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On-Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2.0
1.8
1.6
I D = 36 A
V GS = 10 V
1,000,000
100,000
V GS = 0 V
T J = 175 ° C
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
10,000
1000
100
10
T J = 100 ° C
-50 -25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On-Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain-to-Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YB25CKW01-1F12-JF | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V |
| PVG3G203C01R00 | TRIMMER 20K OHM 0.25W SMD |
| A7WWK-2506G | DSUB CABL-AFU25K/ AE25G / AFU25K |
| PVG3G202C01R00 | TRIMMER 2K OHM 0.25W SMD |
| RGP02-14E-E3/73 | DIODE GPP 0.5A 1400V 300NS DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD70N03RT4G | 功能描述:MOSFET 25V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD78N03 | 功能描述:MOSFET 25V 78A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD78N03-001 | 功能描述:MOSFET 25V 78A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD78N03-035 | 功能描述:MOSFET 25V 78A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD78N031 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 25 V, 78 A, Single Na??Channel, DPAK |
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