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参数资料
| 型号： | NTD78N03T4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 25V 78A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 78A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2250pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTD78N03T4GOSCT |
NTD78N03
100
90
80
70
60
V GS = 4 V
4.5 V
5V
9V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
160
150
140
130
120
110
100
90
V DS ≥ 10 V
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
3.2 V
3V
T J = 25 ° C
2.6 V
8 10
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
1 2
T J = ?55 ° C
3
4
5
6
0.01
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On?Region Characteristics
0.015
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.009
0.008
T J = 125 ° C
V GS = 10 V
T J = 25 ° C
0.007
0.006
T J = 25 ° C
0.01
V GS = 4.5 V
0.005
0.004
V GS = 10 V
0.003
0.002
0.001
0
T J = ?55 ° C
0.005
0
10
20
30
40
50
60
70
80
55
60
65
70
75
80
3
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 3. On?Resistance versus
Drain Current and Temperature
I D = 78 A
100000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
V GS = 0 V
2.5
V DS = 4.5 V
10000
2
T J = 150 ° C
1.5
1000
T J = 125 ° C
1
100
0.5
0
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
5
10
15
20
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain?To?Source Leakage
Current versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD80N02 | 功能描述:MOSFET 24V 80A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD80N02-001 | 功能描述:MOSFET 24V 80A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD80N02-032 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| NTD80N02-032G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| NTD80N02-1G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 24V 80A 60mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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