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参数资料
| 型号： | NTD80N02 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.8 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD80N02
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
100 m s
di/dt
10
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
1 ms
10 ms
I S
t a
t rr
t b
TIME
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
dc
t p
I S
0.25 I S
1
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
1000
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
DUTY CYCLE
Figure 12. Diode Reverse Recovery Waveform
MOUNTED TO MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINT
100
10
0.2
0.1
0.05
0.02
D = 0.5
1
0.1
0.01
SINGLE PULSE
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R θ JA (t) = r(t) R θ JA
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) - T A = P (pk) R θ JA (t)
0.01
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
t, TIME (seconds)
Figure 13. Thermal Response ? Various Duty Cycles
ORDERING INFORMATION
Order Number
NTD80N02T4G
NTD80N02 ? 1G
Package
DPAK ? 3
(Pb ? Free)
DPAK ? 3 Straight Lead
(Pb ? Free)
Shipping ?
2500 / Tape & Reel
75 Units / Rail
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Spe-
cifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASVMPC-25.000MHZ-T3 | OSC 25.000 MHZ CMOS MEMS SMD |
| 252B503A60TA | POT JOYSTICK 50K OHM |
| NTD78N03T4 | MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK |
| 1624191-8 | POT 100K OHM 1/5W 20% TOP |
| 252B203A60TA | POT JOYSTICK 20K OHM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD80N02-001 | 功能描述:MOSFET 24V 80A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD80N02-032 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| NTD80N02-032G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| NTD80N02-1G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 24V 80A 60mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD80N02G | 功能描述:MOSFET 24V 80A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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