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参数资料
| 型号： | NTD80N02T4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR N-CHAN 24V 80A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.8 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTD80N02T4GOSCT |
NTD80N02
TYPICAL CHARACTERISTICS
5000
V GS = 0 V
10
28
4000
T J = 25 ° C
8
Q T
24
3000
2000
C iss
6
4
V D
Q 1
Q 2
V GS
20
16
12
C rss
C oss
1000
0
? 8 ? 6 ? 4 ? 2 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
V GS V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
2
0
0
10
I D = 1.0 A
T J = 25 ° C
20 30 40
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
50
8
4
0
1000
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
80
V DD = 20 V
I D = 20 A
V GS = 10 V
70
60
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
t r
t f
t d(off)
t d(on)
50
40
30
20
10
1
1
10
100
0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80 0.85 0.90 0.95 1.00
R G , GATE RESISTANCE ( Ω )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-HC535-14.7456 | OSC 14.7456 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| FXO-HC535-16 | OSC 16 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| NTD85N02RT4G | MOSFET N-CHAN 24V 85A DPAK |
| NTHS2101PT1G | MOSFET PWR P-CHAN SGL 8V CHIPFET |
| NTF3055L108T3G | MOSFET N-CHAN LL 3A 60V SOT-223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD85N02R | 功能描述:MOSFET 24V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD85N02R-001 | 功能描述:MOSFET 24V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD85N02R-1G | 功能描述:MOSFET 24V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD85N02RG | 功能描述:MOSFET 24V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD85N02RT4 | 功能描述:MOSFET 24V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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