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参数资料
| 型号： | NTD85N02RT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 24V 85A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.2 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2050pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTD85N02RT4GOSCT |
NTD85N02R
10
Normalized to R q JC at Steady State
1
0.1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t, TIME (s)
Figure 12. Thermal Response
10
Normalized to R q JA at Steady State,
1 ″ square Cu Pad, Cu Area 1.127 in 2 ,
3 x 3 inch FR4 board
1
0.1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHS2101PT1G | MOSFET PWR P-CHAN SGL 8V CHIPFET |
| NTF3055L108T3G | MOSFET N-CHAN LL 3A 60V SOT-223 |
| 8Y-38.400MAAJ-T | CRYSTAL 38.400 MHZ 18PF SMD |
| B32520C6683J189 | FILM CAP 0.0680UF 5% 400V |
| FXO-HC535-19.2 | OSC 19.2 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD95N02R | 功能描述:MOSFET 24V 95A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD95N02R-001 | 功能描述:MOSFET 24V 95A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD95N02R-001G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 95 Amps, 24 Volts N−Channel DPAK |
| NTD95N02R-1G | 功能描述:MOSFET 24V 95A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD95N02RG | 功能描述:MOSFET 24V 95A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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