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参数资料
| 型号： | NTE133 |
| 厂商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | N.Channel JFET Silicon Transistor General Purpose AF Amplifier |
| 中文描述： | N.硅通道场效应晶体管放大器通用自动对焦 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 19K |
| 代理商： | NTE133 |
NTE133
N–Channel JFET Silicon Transistor
General Purpose AF Amplifier
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Drain–Source Voltage, V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Drain–Gate Voltage, V
DG
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Gate–Source Voltage, V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Gate Current, I
G
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Device Dissipation (T
A
= +25
°
C), P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Derate Above 25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature Range, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Lead Temperature (During Soldering, 1/16” from case for 10sec), T
L
25V
25V
–25V
10mA
300mW
2mW/
°
C
–55
°
to +150
°
C
–55
°
to +150
°
C
+260
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Gate–Source Breakdown Voltage
V
(BR)GSS
I
G
= 1
μ
A, V
DS
= 0
I
GSS
V
GS
= 20V, V
DS
= 0
V
GS
= 20V, V
DS
= 0, T
A
= +150
°
C
V
GS(off)
I
D
= 1
μ
A, V
DS
= 15V
V
GS
I
D
= 50
μ
A, V
DS
= 15V
I
DSS
V
DS
= 15V, V
GS
= 0
|y
fs
|
V
DS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1kHz
–25
–
–
V
Gate Reverse Current
–
–
–1
nA
μ
A
V
–
–
–1
Gate–Source Cutoff Voltage
–
–
–6.5
Gate–Source Voltage
–0.4
–
–6.0
V
Zero–Gate–Voltage Drain Current
0.5
–
15
mA
μ
mho
Forward Transfer Admittance
1000
–
7500
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参数描述 |
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