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参数资料
| 型号： | NTE163A |
| 厂商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Quad General-Purpose Operational Amplifier 14-PDIP 0 to 70 |
| 中文描述： | 硅NPN晶体管水平偏转 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 22K |
| 代理商： | NTE163A |
NTE163A
Silicon NPN Transistor
Horizontal Deflection
Description:
The NTE163A is an NPN silicon transistor in a TO3 type case designed for use in large screen color
deflection circuits.
Features:
Collector–Emitter Voltage: V
CEX
= 1500V
Collector–Emitter Sustaining Voltage: V
CEO(sus)
= 700V
Switching Times With Inductive Loads: t
f
= 0.4
μ
s (Typ) @ I
C
= 4.5A
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, V
CEO(sus)
Collector–Emitter Voltage, V
CEX
Emitter–Base Voltage, V
EB
Collector Current, I
C
Continuous
Peak (Note 1)
Peak Base Current, I
B
Total Device Dissipation (T
C
= +95
°
C), P
D
Derate Above 95
°
C
Operating Junction Temperature Range, T
J
Storage Temperature Range, T
stg
Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
thJC
Maximum Lead Temperature (For Soldering, 1/8” from case for 5sec), T
L
Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 5ms, Duty Cycle
≤
10%
700V
1500V
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5V
5A
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7.5A
4A
12.5W
0.625W/
°
C
–65
°
to +115
°
C
–65
°
to +115
°
C
1.6
°
C/W
+275
°
C
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PDF描述 |
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