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参数资料
| 型号： | NTE319 |
| 厂商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Silicon NPN Transistor VHF Amp w/Forward AGC |
| 中文描述： | 硅NPN晶体管高频放大器瓦特/正向自动增益控制 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 20K |
| 代理商： | NTE319 |
NTE319P
Silicon NPN Transistor
VHF Amp
w
/Forward AGC
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
Collector–Base Voltage, V
CBO
Emitter–Base Voltage, V
EBO
Collector Current, I
C
Total Power Dissipation (T
A
= +25
°
C), P
T
Derate above +25
°
C
Operating Junction Temperature, T
J
Storage Temperature Range, T
stg
Lead Temperature (During Soldering, 1/16”
±
1/32” from case, 10sec), T
L
20V
20V
3V
50mA
625mW
5mW/
°
C
+150
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–55
°
to +150
°
C
+230
°
C
. . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Collector–Base Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
DC Current Gain
Collector Saturation Voltage
Collector–Emitter Sustaining Voltage
Current Gain–Bandwidth Product
Symbol
V
(BR)CBO
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
V
(BR)EBO
I
E
= 100
μ
A, I
C
= 0
I
CBO
V
CB
= 20V, I
E
= 0
h
FE
I
C
= 2mA, V
CE
= 10V
V
CE(sat)
I
C
= 10mA, I
B
= 5mA
V
CEO(sus)
I
C
= 1mA, I
B
= 0
f
T
I
C
= 2mA, V
CE
= 10V,
f = 100MHz
G
pe
V
BE
= 2V, f = 45MHz
C
cb
I
E
= 0, V
CB
= 10V, f = 1MHz
NF
V
BE
= 2V, f = 45MHz
Test Conditions
Min
20
3
–
20
–
20
300
Typ
–
–
–
80
–
–
–
Max
–
–
50
220
2.75
–
500
Unit
V
V
nA
V
V
MHz
Power Gain
Capacitance
Noise Figure
27
–
–
29
0.13 0.22
2.7
–
dB
pF
dB
5.0
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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