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参数资料
| 型号： | NTE4151PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 760MA SC-89 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SC-89 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 760mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 360 毫欧 @ 350mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 450mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 156pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 313mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-89，SOT-490 |
| 供应商设备封装： | SC-89-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTE4151PT1GOSDKR |
NTA4151P, NTE4151P
PACKAGE DIMENSIONS
SC ? 75/SOT ? 416
CASE 463
ISSUE F
? E ?
2
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
b 3 PL
0.20 (0.008)
M
D
3
1
e
? D ?
H E
0.20 (0.008) E
DIM
A
A1
b
C
D
E
e
L
H E
MILLIMETERS
MIN NOM MAX
0.70 0.80 0.90
0.00 0.05 0.10
0.15 0.20 0.30
0.10 0.15 0.25
1.55 1.60 1.65
0.70 0.80 0.90
1.00 BSC
0.10 0.15 0.20
1.50 1.60 1.70
INCHES
MIN NOM MAX
0.027 0.031 0.035
0.000 0.002 0.004
0.006 0.008 0.012
0.004 0.006 0.010
0.059 0.063 0.067
0.027 0.031 0.035
0.04 BSC
0.004 0.006 0.008
0.061 0.063 0.065
C
L
A
A1
STYLE 5:
PIN 1. GATE
2. SOURCE
3. DRAIN
SOLDERING FOOTPRINT*
0.356
0.014
1.803
0.071
0.508
0.020
0.787
0.031
1.000
0.039
SCALE 10:1
mm
inches
*For additional information on our Pb ? Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
5
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