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参数资料
| 型号： | NTE5632 |
| 厂商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | TRIAC - 10 Amp |
| 中文描述： | 可控硅- 10安培 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 20K |
| 代理商： | NTE5632 |
NTE5631 thru NTE5637
TRIAC – 10 Amp
Description:
The NTE5631 through NTE5637 series of TRIACs are high performance glass passivated PNPN
devices in a TO220 type package designed for general purpose applications where moderate gate
sensitivity is required.
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Repetitive Peak Off–State Voltage (T
J
= –40
°
to +125
°
C, R
GK
= 1k
), V
DRM
NTE5631
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5632
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5633
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5634
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5635
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5636
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5637
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
On–State Current (All Conduction Angles, T
C
= +85
°
C), I
T(RMS)
Non–Repetitive On–State Current (Half Cycle), I
TSM
60Hz
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
50Hz
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Fusing Current (t = 10ms), I
2
t
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Gate Current (t = 10
μ
s Max), I
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Gate Dissipation (t = 10
μ
s Max), P
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Gate Dissipation (t = 20ms Max), P
G(AV)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature Range, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
thJC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R
thJA
Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case, 10sec max), T
L
50V
100V
200V
300V
400V
500V
600V
10A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
110A
100A
50A
2
s
4A
10W
1W
–40
°
to +125
°
C
–40
°
to +125
°
C
2.5K/W
60K/W
+250
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
μ
A
mA
Off–State Leakage Current
I
DRM
V
D
= V
DRM
, R
GK
= 1k
, T
J
= +25
°
C
V
D
= V
DRM
, R
GK
= 1k
, T
J
= +125
°
C
I
T
= 15A, T
J
= +25
°
C
T
J
= +125
°
C
T
J
= +125
°
C
–
–
10
–
–
2
On–State Voltage
V
T
–
–
1.75
V
On–State Threshold Voltage
V
T(TO)
r
T
–
–
1.05
V
On–State Slope Resistance
–
–
52
m
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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