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参数资料
型号： NTE5637
厂商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： TRIAC - 10 Amp
中文描述： 可控硅- 10安培
文件页数： 2/2页
文件大小： 20K
代理商： NTE5637
Electrical Characteristics (Cont
’
d):
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Gate Trigger Current
I
GT
V
GT
I
H
dv/dt
V
D
= 12V, Note 1
V
D
= 12V, All Quadrants
R
GK
= 1k
V
D
= 0.67 x V
DRM
, R
GK
= 1k
, T
J
= +125
°
C
I
T
= 8A, di/dt = 3.55A/ms, T
C
= +85
°
C
–
–
50
mA
Gate Trigger Voltage
–
–
2.5
V
Holding Current
–
–
50
mA
V/
μ
s
V/
μ
s
Critical Rate
–
of
–
Rise
500
–
–
Critical Rate
–
of
–
Rise, Off
–
State
dv/dt
c
5
–
–
Note 1. For either polarity of gate voltage with reference to electrode MT
1
.
.250 (6.35)
Max
.500
(12.7)
Max
.500
(12.7)
Min
.110 (2.79)
.420 (10.67)
Max
.070 (1.78) Max
MT
1
.100 (2.54)
MT
2
Gate
.147 (3.75)
Dia Max
MT
2
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