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参数资料
| 型号： | NTE570 |
| 厂商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Silicon Controlled Avalanche Diode |
| 中文描述： | 硅雪崩二极管控制 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 14K |
| 代理商： | NTE570 |
NTE570
Silicon Controlled Avalanche Diode
Absolute Maximum Ratings:
Peak Reverse Voltage, V
RM
Allowable Avalanche Current (Square Wave Single Pulse 100
μ
s), I
ZSM
Operating Junction Temperature Range, T
J
Storage temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
130V
1.0A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–40
°
to +150
°
C
–40
°
to +150
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Avalanche Voltage
Reverse Current
Reverse Current (High Temperature)
Temperature Dependency of V
Z
Symbol
V
Z
I
R
I
R(H)
J
Test Conditions
I
Z
= 1mA Instantaneous
V
R
= 130V
V
R
= 130V, T
A
= +100
°
C
I
Z
= 1mA
Min
135
–
–
–
Typ
–
–
–
0.15
Max
180
10
50
–
Unit
V
μ
A
μ
A
V/
°
C
Color Band Denotes Cathode
1.070
(27.2)
Min
.291
(7.4)
Max
.165 (4.2)
Dia Max
.032 (0.83) Dia Max
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PDF描述 |
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参数描述 |
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