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参数资料
| 型号： | NTE6091 |
| 厂商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Silicon Schottky Barrier Rectifier |
| 中文描述： | 硅肖特基整流器 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 18K |
| 代理商： | NTE6091 |
NTE6091
Silicon Schottky Barrier Rectifier
Features:
Guarding for Stress Protection
Low Forward Voltage
+125
°
C Operating Junction Temperature
Maximum and Electrical Ratings:
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage, V
RRM
Maximum Working Peak Reverse Voltage, V
RWM
Maximum DC Blocking Voltage, V
R
Maximum RMS Reverse Voltage, V
R(RMS)
Maximum Average Rectified Forward Current (V
R
= 45V, T
C
= +125
°
C), I
F(AV)
Per Leg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Device
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Repetitive Forward Current (V
R
= 45V, Square Wave, 20kHz, T
C
= +125
°
C Max), I
FRM
Non–Repetitive Peak Surge Current, I
FSM
(Surge Applied at Rated Load Conditions, Halfwave, Single Phase, 60Hz)
Operating Junction Temperature Range, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Instantaneous Forward Voltage (I
F
= 20A), V
F
T
C
= +125
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
T
C
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Instantaneous Reverse Current (rated DC voltage), I
R
T
C
= +125
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
T
C
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
45V
45V
45V
31V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
20A
40A
40A
.
300A
. . . . . . . . . .
–65
°
to +250
°
C
–65
°
to +250
°
C
0.50V
0.55V
10mA
100mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTE6092 | Silicon Schottky Barrier Rectifier |
| NTE6093 | Silicon Rectifier Dual, Schottky Barrier |
| NTE6094 | Silicon Rectifier Schottky Barrier |
| NTE60 | Silicon Complementary Transistors High Power Audio, Disk Head Positioner for Linear Applications |
| NTE6102 | Industrial Rectifier, 550A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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