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参数资料
| 型号： | NTE629 |
| 厂商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Silicon Rectifier Fast Recovery, Dual, Center Tap |
| 中文描述： | 硅整流快速恢复，双通道，中心抽头 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 18K |
| 代理商： | NTE629 |
NTE629 & NTE630
Silicon Rectifier
Fast Recovery, Dual, Center Tap
Description:
The NTE629 and NTE630 are dual, fast recovery silicon rectifiers in a TO220 type package designed
for special applications such as DC power supplies, inverters, converters, ultrasonic systems, chop-
pers and low RF interference.
Features:
Low Forward Voltage
High Current Capability
Fast Switching for High Efficiency
High Surge Capacity
Glass Passivated Chip Junction
Absolute Maximum Ratings:
Peak Repetitive Reverse Voltage, V
RRM
NTE629
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NTE630
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Working Peak Reverse Voltage, V
RWM
NTE629
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NTE630
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DC Blocking Voltage, V
R
NTE629
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NTE630
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RMS Reverse Voltage, V
R(RMS)
NTE629
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NTE630
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Average Rectifier Forward Current (Rated V
R
, T
C
= +150
°
C), I
F(AV)
Per Diode
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Device
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Non–Repetitive Peak Surge Current, I
FSM
(8.3ms Single half Sine–Wave Superimposed on Rated Load)
Operating Junction Temperature Range (Reverse Voltage Applied), T
J
Storage Temperature Range (Reverse Voltage Applied), T
stg
200V
600V
200V
600V
200V
600V
140V
420V
8A
16A
250A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–65
°
to +175
°
C
–65
°
to +175
°
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTE630 | Silicon Rectifier Fast Recovery, Dual, Center Tap |
| NTE62 | Silicon NPN Transistor High Voltage, Horizontal Deflection Output for TV |
| NTE631 | Silicon Rectifier Diode High−Speed Switch (Surface Mount) |
| NTE633 | Silicon Rectifier Diode High Speed Switching (Surface Mount) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTE63 | 制造商:NTE Electronics 功能描述: |
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