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参数资料
| 型号： | NTF3055L175T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 |
| 产品变化通告： | Specification Change MSL Updated 2/April/2007 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-223 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 175 毫欧 @ 1A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 270pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTF3055L175T1GOSDKR |
NTF3055L175
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
3.2
3.2
2.8
2.8
V DS ≥ 10 V
2.4
V GS = 3.5 V
2.4
2.0
1.6
V GS = 4 V
V GS = 3 V
2
1.6
1.2
0.8
V GS = 5 V
1.2
0.8
T J = 100 ° C
0.4
V GS = 2.5 V
0.4
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0
1
1.4
1.8
2.2
2.6
3
3.4
3.8
4.2
V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS, GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.28
0.24
V GS = 5 V
T J = 100 ° C
0.28
0.24
V GS = 10 V
0.2
0.2
0.16
0.12
0.08
0.04
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.16
0.12
0.08
0.04
T J = 25 ° C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? to ? Source Voltage
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2
1.8
I D = 1 A
V GS = 5 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.6
1.4
1.2
1
0.8
100
10
T J = 125 ° C
T J = 100 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASG-D-V-B-1.500GHZ-T | OSC 1.500 GHZ 2.5V LVDS SMD |
| CM309S29.500MABJTR | CRYSTAL 29.500 MHZ 18PF SMD |
| SRF1006-402Y | INDUCTOR COMMN MODE 4000UH 0.30A |
| ASG-D-V-A-320.000MHZ-T | OSC 320.00 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| CM309S-16.384MABJ-UT | CRYSTAL 16.3840 MHZ 18PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTF3055L175T3 | 功能描述:MOSFET 60V 2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTF3055L175T3G | 功能描述:MOSFET 60V 2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTF3055L175T3LF | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTF3055L175T3LFG | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 2.0 A, 60 V, Logic Level |
| NTF3226E | 制造商:SRNTEL 功能描述: |
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