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参数资料
| 型号： | NTHD3100CT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A，3.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 165pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTHD3100C
TYPICAL P ? CHANNEL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1500
1200
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4 ? V DS
QT
? V GS
10
8
900
3
6
600
V DS = 0 V
C rss
2
Q gs
Q gd
4
300
0
5
? V GS
0
? V DS
5
10
C oss
15
20
1
0
0
2
I D = ? 3.2 A
T J = 25 ° C
4 6
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
8
2
0
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17. Capacitance Variation
Figure 18. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
100
V DS = ? 10 V
I D = ? 3.2 A
V GS = ? 4.5 V
t d(off)
t f
5
4
3
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
10
t d(on)
2
1
1
1
10
100
0
0.3
0.6
0.9
1.2
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 19. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
DEVICE ORDERING INFORMATION
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 20. Diode Forward Voltage vs. Current
Device
NTHD3100CT1
NTHD3100CT1G
NTHD3100CT3
NTHD3100CT3G
Package
ChipFET
ChipFET
(Pb ? Free)
ChipFET
ChipFET
(Pb ? Free)
Shipping ?
3000 / Tape & Reel
3000 / Tape & Reel
10000 / Tape & Reel
10000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-PC538-349.3 | OSC 349.3 MHZ 3.3V PECL SMD |
| 5145.0847.531 | MOD INLET/CB/MED FILTER 6A PNL |
| B32563J6684J | FILM CAP 0.68UF 5% 400V |
| AML24EBA2DA07 | SWITCH ROCKER DP3T .01A 125V |
| 35853 | FILTER REPL 0.3 MICRON FIELD VAC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHD3100CT1G | 功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-4.4A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD3100CT3 | 功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-4.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD3100CT3G | 功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-4.4A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD3100F | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices |
| NTHD3101F | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode |
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