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参数资料
| 型号： | NTHD3133PFT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH SGL 20V CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Jan/2012 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 3.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 680pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTHD3133PF
TYPICAL SCHOTTKY PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
10
10
1
T J = 150 ° C
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
0.1
T J = -55 ° C
0.1
T J = 25 ° C
0.00
0.20
0.40
0.60
0.80
0.00
0.20
0.40
0.60
0.80
V F , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Typical Forward Voltage
100E-3
T J = 150 ° C
100E-3
V F , MAXIMUM INSTANTANEOUS FORWARD
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Maximum Forward Voltage
T J = 150 ° C
10E-3
1E-3
100E-6
10E-6
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
10E-3
1E-3
100E-6
10E-6
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
0
10
20
0
10
20
3.5
V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 13. Typical Reverse Current
freq = 20 kHz
1.4
V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 14. Maximum Reverse Current
3
2.5
dc
square wave
1.2
1
Ipk/Io = p
Ipk/Io = 5
square wave
dc
Ipk/Io = 10
2
1.5
1
0.5
0
Ipk/Io = p
Ipk/Io = 5
Ipk/Io = 10
Ipk/Io = 20
0.8
0.6
0.4
0.2
0
Ipk/Io = 20
25
45
65
85
105
125
145
165
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
T L , LEAD TEMPERATURE ( ° C)
Figure 15. Current Derating
http://onsemi.com
5
I O , AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
Figure 16. Forward Power Dissipation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASG-C-X-A-155.520MHZ-T | OSC 155.520 MHZ 3.3V LVCMOS SMD |
| NTGS3443T2G | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP |
| B32529C1274J189 | FILM CAP 0.2700UF 5% 100V |
| 3862C-162-502AL | POT 5.0K OHM 1/2" RD CERM |
| CM6350-334 | CHOKE COM MODE FERR 330.0UH SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHD3133PFT3G | 功能描述:MOSFET -20V -4.4A P-CHANNEL W/3.7A SCHOTTKY RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD4102P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -20 V, -4.1 A, Dual P-Channel ChipFET |
| NTHD4102P_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -20 V, -4.1 A, Dual P-Channel ChipFET |
| NTHD4102PT1 | 功能描述:MOSFET -20V -4.1A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD4102PT1G | 功能描述:MOSFET -20V -4.1A Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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