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参数资料
型号： NTHD4401PT1G
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： Power MOSFET −20 V, −3.0 A, Dual P−Channel, ChipFET
中文描述： 2100 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封装： LEAD FREE, CASE 1206A-03, CHIPFET-8
文件页数： 5/8页
文件大小： 66K
代理商： NTHD4401PT1G
NTHD4401P
http://onsemi.com
5
t, TIME (s)
Figure 12. Thermal Response
r
T
1.0
0.1
0.01
1.0E03
0.2
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.1
1.0E02
1.0E01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
0.02
0.0175
0.0710
0.2706
0.5776
0.7086
107.55 F
1.7891 F
0.3074 F
0.0854 F
0.0154 F
Chip
Ambient
Normalized to
θ
JA at 10s.
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PDF描述
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NTHD4401PT3G 功能描述:MOSFET -20V -3A Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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NTHD4502NT1G 功能描述:MOSFET 30V 3.9A Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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