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参数资料
| 型号： | NTI06J33NTRF |
| 厂商： | NIC COMPONENTS CORP |
| 元件分类： | 通用定值电感 |
| 英文描述： | 1 ELEMENT, 0.033 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| 封装： | CHIP, 0603M, ROHS COMPLIANT |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | NTI06J33NTRF |
12
NIC COMPONENTS CORP.
www.niccomp.com www.lowESR.com www.RFpassives.com www.SMTmagnetics.com
Available Values - 0201 Case Size
DC Current
Max. (mA)
Inductance
Value (nH)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
3.9
4.0
4.4
4.7
4.9
5.6
6.1
6.8
7.4
8.2
9.1
9.2
10
Part
Number
NTI02_0N1TRF
NTI02_0N2TRF
NTI02_0N3TRF
NTI02_0N4TRF
NTI02_0N5TRF
NTI02_0N6TRF
NTI02_0N7TRF
NTI02_0N8TRF
NTI02_0N9TRF
NTI02_1N0TRF
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NTI02_2N9TRF
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NTI02_3N2TRF
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NTI02_3N9TRF
NTI02_4N0TRF
NTI02_4N4TRF
NTI02_4N7TRF
NTI02_4N9TRF
NTI02_5N6TRF
NTI02_6N1TRF
NTI02_6N8TRF
NTI02_7N4TRF
NTI02_8N2TRF
NTI02_9N1TRF
NTI02_9N2TRF
NTI02_10NTRF
DC Resistance
Max. (
Ω
)
Available Tolerances & Tolerance Codes
Q Factor Min.
& Test Frequency
SRF
Min. (GHz)
0.20
400
±0.1nH (B), ±0.2nH (C), ±0.3nH (D)
8 min. @ 500MHz
9
0.25
350
0.30
300
0.35
0.45
250
0.55
200
0.70
200
8
0.80
150
1.00
6
1.20
1.30
1.40
1.60
1.80
2.00
2.30
2.80
3.00
140
130
±2% (G), ±5% (J)
4
120
110
3
3.25
100
3.50
80
2
Thin Film Chip Inductors
NTI Series
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTI06J27NTRF | 1 ELEMENT, 0.027 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| NTI06J22NTRF | 1 ELEMENT, 0.022 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| NTI06J15NTRF | 1 ELEMENT, 0.015 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| NTI06J10NTRF | 1 ELEMENT, 0.01 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| NTI06G68NTRF | 1 ELEMENT, 0.068 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTIAF2291F100 | 制造商:NTI 功能描述:AF229SX100 1% LOC: 1704I |
| NTJD1155L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
| NTJD1155LT1 | 功能描述:MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD1155LT1G | 功能描述:MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD116N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
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