- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18207 > NTJD2152PT1 (ON Semiconductor)MOSFET 2P-CH 8V 775MA SOT-363 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTJD2152PT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 8V 775MA SOT-363 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 775mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 570mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 225pF @ 8V |
| 功率 - 最大： | 270mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTJD2152PT1OS |
NTJD2152P
ORDERING INFORMATION
Device Order Number
NTJD2152PT1
NTJD2152PT1G
NTJD2152PT2
NTJD2152PT2G
NTJD2152PT4
NTJD2152PT4G
Package Type
SOT ? 363
SOT ? 363
(Pb ? Free)
SOT ? 363
SOT ? 363
(Pb ? Free)
SOT ? 363
SOT ? 363
(Pb ? Free)
Tape and Reel Size ?
3000 / Tape & Reel
3000 / Tape & Reel
3000 / Tape & Reel
3000 / Tape & Reel
10,000 / Tape & Reel
10,000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifi-
cations Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CD61.1501.151 | MOD PWR 5-FUNCT 10A 4.8QC SCREW |
| NTJD4001NT1 | MOSFET N-CHAN SS DUAL 30V SOT363 |
| FXO-LC536-195.35 | OSC 195.35 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| M2026SA2G40 | SW TOGGLE SP3T BAT GOLD VERT PC |
| 7A-28.63636MBBK-T | CRYSTAL 28.63636 MHZ 20PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTJD2152PT1G | 功能描述:MOSFET 8V Dual P-Channel ESD Protection RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD2152PT2 | 功能描述:MOSFET 8V Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD2152PT2G | 功能描述:MOSFET 8V Dual P-Channel ESD Protection RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD2152PT4 | 功能描述:MOSFET 8V Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD2152PT4G | 功能描述:MOSFET 8V Dual P-Channel ESD Protection RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。