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参数资料
| 型号： | NTJD4001NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 250MA SOT-363 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-363 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 250mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 10mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.3nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 33pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 272mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTJD4001NT1GOSDKR |
NTJD4001N, NVTJD4001N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
50
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
Q G
40
C iss
4
30
20
C rss
C iss
3
2
Q GS
Q GD
10
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
C oss
C rss
25
1
0
0
I D = 0.1 A
T J = 25 ° C
0.2 0.4 0.6 0.8
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
1
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
0.1
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Gate Charge
0.08
0.06
0.04
0.02
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
0
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
D = 0.5
100
10
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
SINGLE PULSE
0.1
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME t,(s)
Figure 10. Thermal Response
http://onsemi.com
4
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