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参数资料
| 型号： | NTJD4401NT2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-363 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 04/April/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 630mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 375 毫欧 @ 630mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 46pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 270mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTJD4401N, NVJD4401N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
5
4
Q G(TOT)
V GS
0.7
0.6
0.5
V GS = 0 V
3
0.4
2
Q GS
Q GD
0.3
0.2
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I D = 0.63 A
T J = 25 ° C
1.2
1.4
0.1
0
0
0.2
T J = 150 ° C
0.4
0.6
T J = 25 ° C
0.8
1
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
ORDERING INFORMATION
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Diode Forward Voltage vs. Current
Device
NTJD4401NT1G
NVJD4401NT1G
Package
SC ? 88
(Pb ? Free)
SC ? 88
(Pb ? Free)
Shipping ?
3000 / Tape & Reel
3000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTJD4105CT4G | MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363 |
| ABM8G-20.000MHZ-B4Y-T3 | CRYSTAL 20.000 MHZ 10PF SMD |
| NTJD4105CT4 | MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363 |
| NTJD4105CT2 | MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363 |
| 5145.1593.731 | MOD INLET/CB/MED FILTER 10A PNL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTJD4401NT4 | 功能描述:MOSFET 20V Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD4401NT4G | 功能描述:MOSFET 20V Dual N-Channel ESD Protection RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD5121N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SC-88 |
| NTJD5121NT1G | 功能描述:MOSFET NFET SC88D 60V 295mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD5121NT2G | 功能描述:MOSFET NFET SC88D 60V 295mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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