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参数资料
| 型号： | NTJS4405NT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 630mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTJS4405N, NVJS4405N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
150
125
V DS = 0 V
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
V GS = 4.5 V
Q G(TOT)
V DS = 5.0 V
100
C rss
3
75
Q GS
Q GD
50
C iss
2
25
0
10
5
C rss
0
V GS
V DS
5
10
15
20
C oss
25
1
0
0
I D = 0.95 A
T J = 25 ° C
0.2 0.4 0.6 0.8
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
V DD = 6.0 V
I D = 0.5 A
V GS = 4.5 V
1.2
1.1
1
0.9
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t f
t d(off)
0.8
0.7
0.6
0.5
10
1
t d(on)
t r
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1
10
100
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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