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参数资料
| 型号： | NTK3043NAT5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 210MA SOT-723 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 08/Apr/2011 |
| 标准包装： | 8,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 210mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.4 欧姆 @ 10mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 11pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 310mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-723 |
| 供应商设备封装： | SOT-723 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTK3043N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.3
2.5 V
0.3
V DS ? 5 V
V GS = 3 V to 10 V
T J = 25 ? C
0.2
2.2 V
2.0 V
0.2
0.1
1.8 V
0.1
T J = 25 ? C
T J = 125 ? C
1.6 V
0
0
1
2
3
4
1.4 V
5
0
1
1.5
T J = ? 55 ? C
2
2.5
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
5
4
3
I D = 0.255 A
T J = 25 ? C
6
5
4
T J = 25 ? C
V GS = 2.5 V
2
3
1
2
V GS = 4.5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
0
0.1
0.2
0.3
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
9.0
8.0
7.0
6.0
V GS = 1.65 V, I D = 1 mA
V GS = 1.8 V, I D = 10 mA
1000
100
V GS = 0 V
T J = 150 ? C
5.0
4.0
3.0
V GS = 2.5 V, I D = 10 mA
10
T J = 125 ? C
2.0
1.0
V GS = 4.5 V, I D = 10 mA
0
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
1
5
10
15
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ? C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-HC730-13 | OSC 13 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| CM05RB03 | CHOKE COMMON MODE 1400OHMS LEAD |
| FXO-HC730-13.333333 | OSC 13.333333 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| NTHS5441PT1G | MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET |
| FXO-HC730-14.3181 | OSC 14.3181 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTK3043NT1G | 功能描述:MOSFET NFET 20V 285mA TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTK3043NT1H | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| NTK3043NT5G | 功能描述:MOSFET NFET 20V 285MA 3.4 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTK3134N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 890 mA, Single N−Channel with ESD Protection, SOT−723 |
| NTK3134NT1G | 功能描述:MOSFET 20V/6V N CH T1 890mA 0.3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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