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参数资料
| 型号： | NTLJS1102PTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 6.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 720mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1585pF @ 4V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJS1102P
TYPICAL CHARACTERISTICS
30
? 4.5 V
? 2.5 V
30
V DS = ? 5 V
25
25
20
15
? 2.0 V
? 1.8 V
20
15
10
? 1.5 V
10
T J = 25 ° C
5
V GS = ? 1.2 V
5
T J = 125 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0
0
0.25 0.5 0.75 1.0 1.25 1.5 1.75 2.0 2.25 2.5
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.20
0.18
T J = 25 ° C
0.20
0.18
? 1.2 V
? 1.5 V
? 1.8 V
T J = 25 ° C
0.16
0.14
0.12
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
I D = ? 0.2 A
I D = ? 6.2 A
0.10
0.08
0.06
0.04
0.04
? 2.5 V
0.02
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0.02
0
0
2
4
6
8
10
12
14
V GS = ? 4.5 V
16 18 20
1.5
? V GS , GATE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
100,000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
V GS = ? 4.5 V
I D = ? 6.2 A
10,000
1,000
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
T J = 85 ° C
0.7
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
100
1
2
3
4
5
6
7
8
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-HC530-13.5 | OSC 13.5 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| HC49US-11.00MABJ-UB | CRYSTAL 11.000 MHZ 18PF HC49/US |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLJS1102PTBG | 功能描述:MOSFET PFET WDFN6 8V 8.1A 36mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJS2103P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| NTLJS2103PTAG | 功能描述:MOSFET PFET WDFN6 12V 5.9A 0.025 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJS2103PTBG | 功能描述:MOSFET PFET WDFN6 12V 5.9A 0.025 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJS3113P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −20 V, −7.7 A, uCool TM Single 2x2 mm, WDFN Package |
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