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参数资料
| 型号： | NTLUF4189NZTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 95pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-UDFN（1.6x1.6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLUF4189NZ
TYPICAL MOSFET CHARACTERISTICS
10
8
6
4
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
4.0 V
3.5 V
3.0 V
5
4
3
2
V DS = 4 V
2
0
0
1
2
3
4
2.5 V
2.0 V
5
1
0
0.5
T J = 125 ° C
1 1.5
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
2 2.5 3
3.5
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.35
T J = 25 ° C
0.35
2.0 V
2.5 V
3.0 V
3.5 V
0.30
0.25
0.20
0.15
I D = 0.5 A
I D = 1.5 A
0.30
0.25
0.20
0.15
4.0 V
V GS = 4.5 V
0.10
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0.10
0
1
2
3
4
5
6
7
T J = 25 ° C
8 9
10
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
V GS = 4.5 V
I D = 1.5 A
1000
100
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
10
T J = 85 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
1
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTLUS4195PZTAG | MOSFET P-CH 30V 3A SGL 6UDFN |
| FXO-HC535-1 | OSC 1 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| NTMFS4945NT1G | MOSFET N-CH 30V 7.4A SO8 FL |
| NTD4905NT4G | MOSFET N-CH 30V 67A SGL DPAK |
| FXO-HC535-1.1 | OSC 1.1 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLUS3192PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −20 V, −4.2 A, Cool Single P−Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package |
| NTLUS3192PZTAG | 功能描述:MOSFET PFET WDFN6 20V 3.4A 85 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLUS3192PZTBG | 功能描述:MOSFET PFET WDFN6 20V 3.4A 85 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLUS3A18PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:a??20 V, a??8.2 A, Single Pa??Channel, 2.0x2.0x0.55 mm Cool UDFN Package |
| NTLUS3A18PZCTAG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PFET UDFN 20V 8.2A 18MOHM - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / PFET UDFN 20V 8.2A 18MOHM |
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