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参数资料
| 型号： | NTLUS4195PZTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 3A SGL 6UDFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 05/Oct/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-UDFN（1.6x1.6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLUS4195PZ
TYPICAL CHARACTERISTICS
20
18
16
14
12
10
8
6
V GS = ? 10 V
? 9.0 V
? 8.0 V
? 7.0 V
? 6.0 V
? 5.0 V
? 4.5 V
? 4.0 V
? 3.5 V
10
9
8
7
6
5
4
3
V DS ≤ ? 10 V
T J = 25 ° C
4
2
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
? 3.0 V
? 2.5 V
4.5 5.0
2
1
0
1
1.5
T J = 125 ° C
2 2.5
T J = ? 55 ° C
3 3.5
4
4.5
5
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.250
0.225
0.200
0.175
0.150
0.125
0.100
0.075
I D = ? 3.0 A
T J = 25 ° C
0.250
0.225
0.200
0.175
0.150
0.125
0.100
0.075
0.050
0.025
V GS = ? 4.5 V
V GS = ? 10 V
T J = 25 ° C
0.050
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
? V GS , GATE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
? I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
V GS = ? 10 V
I D = ? 3.0 A
V GS = ? 4.5 V
I D = ? 2.0 A
1000
100
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1.0
0.9
0.8
0.7
10
T J = 85 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
1
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-HC535-1 | OSC 1 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
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| NTD4905NT4G | MOSFET N-CH 30V 67A SGL DPAK |
| FXO-HC535-1.1 | OSC 1.1 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| FXO-HC535-1.5 | OSC 1.5 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLUS4195PZTBG | 功能描述:MOSFET NFET UDFN6 30V 3A 95 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLUS4930N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 6.1 A, Single Na??Channel, 2.0x2.0x0.55 mm Cool UDFN6 Package |
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| NTLUS4930NTBG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET UDFN6 30V 6.3A 26.3M - Tape and Reel |
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