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参数资料
| 型号： | NTMD2C02R2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 Wire Change 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.2A，3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMD2C02R2OS |
NTMD2C02R2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C unless otherwise noted) (Note 3)
Characteristic
Symbol
Polarity
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? Source Breakdown Voltage
(V GS = 0 Vdc, I D = 250 m Adc)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V GS = 0 Vdc, V DS = 20 Vdc)
(V GS = 0 Vdc, V DS = 12 Vdc)
Gate ? Body Leakage Current
(V GS = ± 12 Vdc, V DS = 0)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
(N)
(P)
(N)
(P)
?
20
20
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
1.0
1.0
100
Vdc
m Adc
nAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 4)
Gate Threshold Voltage
(V DS = V GS , I D = 250 m Adc)
Drain ? to ? Source On ? Resistance
(V GS = 4.5 Vdc, I D = 4.0 Adc)
(V GS = 4.5 Vdc, I D = 2.4 Adc)
Drain ? to ? Source On ? Resistance
(V GS = 2.7 Vdc, I D = 2.0 Adc)
(V GS = 2.7 Vdc, I D = 1.2 Adc)
Forward Transconductance
(V DS = 2.5 Vdc, I D = 2.0 Adc)
(V DS = 2.5 Vdc, I D = 1.0 Adc)
V GS(th)
R DS(on)
R DS(on)
g FS
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
0.6
0.6
?
0.07
?
0.1
3.0
3.0
0.9
0.9
0.028
?
0.033
?
6.0
4.75
1.2
1.2
0.043
0.1
0.048
0.13
?
?
Vdc
W
W
Mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
(N)
(P)
?
?
785
540
1100
750
pF
Output Capacitance
Transfer Capacitance
(V DS = 10 Vdc, V GS = 0 Vdc,
f = 1.0 MHz)
C oss
C rss
(N)
(P)
(N)
(P)
?
?
?
?
210
215
75
100
450
325
180
175
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 5)
Turn ? On Delay Time
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
Turn ? On Delay Time
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate ? Source Charge
Gate ? Drain Charge
(V DD = 16 Vdc, I D = 4.0 Adc,
V GS = 4.5 Vdc,
R G = 6.0 W )
(V DD = 10 Vdc, I D = 1.2 Adc,
V GS = 2.7 Vdc,
R G = 6.0 W )
(V DS = 16 Vdc, I D = 6.0 Adc,
V GS = 4.5 Vdc,
R G = 6.0 W )
(V DS = 10 Vdc, I D = 2.4 Adc,
V GS = 4.5 Vdc,
R G = 6.0 W )
(V DS = 10 Vdc, I D = 4.0 Adc,
V GS = 4.5 Vdc)
(V DS = 6.0 Vdc, I D = 2.0 Adc,
V GS = 4.5 Vdc)
t d(on)
t r
t d(off)
t f
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q T
Q 1
Q 2
Q 3
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
11
15
35
40
45
35
60
35
12
10
50
35
45
33
80
29
12
10
1.5
1.5
4.0
5.0
3.0
3.0
18
?
65
?
75
?
110
?
20
20
90
65
75
60
130
55
20
18
?
?
?
?
?
?
ns
nC
3. Negative signs for P ? Channel device omitted for clarity.
4. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
5. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
http://onsemi.com
2
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PDF描述 |
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| AT-28.63636MAGE-T | CRYSTAL 28.63636 MHZ 12PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMD2C02R2G | 功能描述:MOSFET 20V 5.2A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD2C02R2SG | 功能描述:MOSFET COMP20V 2A .043R TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD2P01R2 | 功能描述:MOSFET -16V 2.3A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD2P01R2G | 功能描述:MOSFET -16V 2.3A Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD3N08 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | SO |
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