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参数资料
| 型号： | NTMD2C02R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 Product Obsolescence 13/Apr/2009 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.2A，3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMD2C02R2GOS |
NTMD2C02R2
N ? Channel
P ? Channel
2500
2000
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1500
1200
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1500
1000
C rss
C iss
900
600
C rss
C iss
500
0
10
5
C rss
0
5
10
15
C oss
20
300
0
10
5
0
5
10
C oss
C rss
15
20
V GS V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 13. Capacitance Variation
? V GS ? V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 14. Capacitance Variation
5
QT
20
5
QT
20
18
4
3
V DS
V GS
16
12
4
3
V GS
16
14
12
2
1
Q1
Q2
I D = 6 A
V DS = 16 V
V GS = 4.5 V
T J = 25 ° C
8
4
2
1
Q1
Q2
V DS
I D = ? 2.4 A
T J = 25 ° C
10
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16
0
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 15. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage versus Total Charge
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 16. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage versus Total Charge
1000
V DS = 16 V
I D = 4.0 A
V GS = 4.5 V
1000
V DD = ? 10 V
I D = ? 1.2 A
V GS = ? 2.7 V
100
t f
t r
t d(off)
100
t r
t d (off)
t f
10
1
t d(on)
10
100
10
1.0
10
t d (on)
100
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 17. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
http://onsemi.com
6
R G, GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 18. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CE10.6100.151 | MOD PWR STD FILTER 1A 2POLE PNL |
| FXO-LC738-280 | OSC 280 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| B32522C6394K | FILM CAP 0.3900UF 10% 400V |
| CE20.6100.151 | MOD PWR STD FILTER 2A 2POLE PNL |
| B32656S0474K564 | CAP FILM 0.47UF 1KVDC SCREW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMD2C02R2SG | 功能描述:MOSFET COMP20V 2A .043R TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD2P01R2 | 功能描述:MOSFET -16V 2.3A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD2P01R2G | 功能描述:MOSFET -16V 2.3A Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD3N08 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | SO |
| NTMD3N08/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:80 V Power MOSFET |
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