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参数资料
| 型号： | NTMFS4823NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6.9A SO-8FL |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.6 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 11.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 795pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 860mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMFS4823NT1G-ND NTMFS4823NT1GOSTR |
NTMFS4823N
TYPICAL CHARACTERISTICS
90
80
70
60
50
40
V GS = 10 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
T J = 25 ° C
4.5 V
4.2 V
4.0 V
3.8 V
60
50
40
30
V DS ≥ ? 10 V
30
20
10
0
0
0.5
1.0
1.5
3.4 V
3.2 V
3.0 V
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
3.6 V
2.8 V
4.5 5.0
20
10
0
0
1
T J = 25 ° C
T J = 100 ° C
2
T J = ? 55 ° C
3 4
5
6
0.045
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.022
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.040
0.035
0.030
0.025
0.020
0.015
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.020
0.018
0.016
0.014
0.012
0.010
0.008
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.010
0.005
0.006
0.004
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.002
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.6
I D = 30 A
V GS = 10 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.4
1.2
1.0
0.8
100
10
T J = 100 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
1
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 483S3P72 | CABLE STR FMAL-STR MALE 3POS 6' |
| CXA2011-0000-000P00G040F | LED ARRAY ANSI WHITE SCREW MOUNT |
| CXA2011-0000-000P00F027F | LED ARRAY ANSI WHITE SCREW MOUNT |
| CXA2011-0000-000P00H050F | LED COOL WHITE 5000K SCREW MOUNT |
| CXA2011-0000-000P00G035F | LED WARM WHITE 3500K SCREW MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4823NT3G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4825NFET1G | 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 171A 2mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4825NFET3G | 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 171A 2mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4826NET1G | 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 66A 5.9mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4826NET3G | 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 66A 5.9mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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