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参数资料
| 型号： | NTMFS4833NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 88nC @ 11.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5600pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 910mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMFS4833NT1GOSDKR |
NTMFS4833N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
8000
7000
C iss
T J = 25 ° C
12
10
Q T
V GS
6000
5000
C iss
8
4000
3000
C rss
6
4
Q1
Q2
2000
1000
0
10
V DS = 0 V
5
V GS
0
V GS = 0 V
5
V DS
10
15
20
C oss
25
2
0
0
10
I D = 30 A
T J = 25 ° C
20 30 40 50 60 70 80
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
90
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage vs. Total Charge
1000
V DD = 15 V
I D = 15 A
V GS = 11.5 V
t d(off)
30
25
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t f
20
100
t r
t d(on)
15
10
5
10
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
650
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
10
10 m s
100 m s
1 ms
600
550
500
450
400
I D = 35 A
1
0.1
0.01
0.01
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.1 1
10
10 ms
100 ms
dc
100
350
300
250
200
150
100
50
0
25
50 75
100 125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DRM10C04 | SWITCH DIP MINI SHAFT 10POS T/H |
| C42315A1347A212 | SWITCH DIP SPST CHNGOVR12POS T/H |
| DRM1004 | SWITCH DIP MINI SHAFT 10POS T/H |
| DRW10C04 | SWITCH DIP WHEEL 10POS STRGHT T/ |
| MRD16STR04 | SWITCH DIP FLUSH 16POS STRGHT SM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4833NT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 191A DFN5 |
| NTMFS4833NT3G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4834N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 130 A, Single N−Channel, SO−8FL |
| NTMFS4834NT1G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 130A 3MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4834NT3G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 130A 3MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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