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参数资料
| 型号： | NTMFS4839NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 04/April/2008 |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1588pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 870mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4839N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 30 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.9
0.8
1.2
V
Reverse Recovery Time
t RR
22.2
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Charge
t a
t b
Q RR
V GS = 0 V, dIS/dt = 100 A/ m s,
I S = 30 A
12.5
9.7
10.8
ns
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
L S
0.93
nH
Drain Inductance
Gate Inductance
Gate Resistance
L D
L G
R G
T A = 25 ° C
0.005
1.84
3.3
nH
nH
W
5. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
90
80
70
60
4.6 V
6.0 V
4.4 V
4.2 V
4.0 V
T J = 25 ° C
90
80
70
60
50
40
50
40
30
20
3.5 V
30
20
T C = 25 ° C
10
0
V GS = 3.0 V
10
0
T C = 125 ° C
T C = ? 55 ° C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
1
2
3
4
5
6
0.012
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.01
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.01
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.009
0.008
V GS = 4.5 V
0.007
0.008
0.006
0.006
0.005
0.004
0.003
0.002
V GS = 11.5 V
0.004
2.5
3.5
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
10.5 11.5
0.001
10
15
20
25
30
35
40
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? to ? Source Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
http://onsemi.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS4837NT3G | MOSFET N-CH 30V 10A SO-8FL |
| NTMFS4836NT3G | MOSFET N-CH 30V 11A SO-8FL |
| 3590S-2-101L | POT 100 OHM 7/8" RD WW |
| 3590S-1-102L | POT 1.0K OHM 7/8" RD WW |
| 3590S-2-203L | POT 20K OHM 7/8" RD WW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4839NT3G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 66A 6MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4841N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 57 A, Single N−Channel, SO−8FL |
| NTMFS4841NH | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 59 A, Single N−Channel, SO−8FL |
| NTMFS4841NHT1G | 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 57A 7mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4841NHT3G | 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 57A 7MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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