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参数资料
| 型号： | NTMFS4926NET1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 44A SO8-FL |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1004pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 920mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4926NE
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
90
10 V
4.5 V
T J = 25 ° C
4.0 V
100
90
T J = ? 55 ° C
80
80
70
60
50
3.6 V
3.2 V
70
60
50
V DS = 10 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
40
40
30
20
10
V GS = 2.8 V
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
0.015
0.014
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.016
0.015
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.013
0.012
0.011
0.010
0.009
0.008
0.007
0.006
I D = 30 A
0.014
0.013
0.012
0.011
0.010
0.009
0.008
0.007
T = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.005
0.004
0.003
3
4
5
6
7
8
9
10
0.006
0.005
0.004
10
20
30
40
V GS = 10 V
50 60
70
80
90
100
1.7
V GS (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. V GS
10,000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
I D = 30 A
V GS = 10 V
1,000
100
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
T J = 85 ° C
0.7
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
5
10
15
20
V GS = 0 V
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4926NT1G | 功能描述:MOSFET TRENCH 3.1 30V 7 Ohm NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4926NT3G | 功能描述:MOSFET TRENCH 3.1 30V 7 Ohm NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4927NCT1G | 功能描述:MOSFET TRENCH 3.1 NCH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4927NCT3G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V SO8-FL RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTMFS4927NT1G | 功能描述:MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 Ohm NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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