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参数资料
| 型号： | NTMFS4935NBT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 13A SO8 FL |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.2 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 49.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4850pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 930mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4935N
TYPICAL CHARACTERISTICS
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
10 V
7V
4.5
0
1
4.2 V
V GS = 4.0 V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
3.2 V
3.0 V
2.8 V
2.6 V
2
3
T J = 25 ° C
2.4 V
4
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1.0
V DS = 10 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
1.5 2.0
T J = ? 55 ° C
2.5 3.0
3.5
4.0
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.014
0.013
0.012
0.011
0.010
0.009
0.008
0.007
0.006
0.005
0.004
0.003
0.002
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
I D = 30 A
T J = 25 ° C
8.0 9.0
10
0.0050
0.0048
0.0046
0.0044
0.0042
0.0040
0.0038
0.0036
0.0034
0.0032
0.0030
0.0028
0.0026
0.0024
0.0022
0.0020
20
T J = 25 ° C
40
60
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
80
100
120
140
160
V GS (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. V GS
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
I D = 30 A
V GS = 10 V
10,000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
100
T J = 85 ° C
0.6
0.5
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS4935NT3G | MOSFET N-CH 30V 13A SO8 FL |
| A127S1YCQ | SWITCH TOGGLE SPDT PCB |
| AS13BV | SW SLIDE SPDT FLUSH VRT BRKT PCB |
| MS22BFG01 | SWITCH SLIDE DPDT GOLD SLD LUG |
| 3319P-1-501 | TRIMMER 500 OHM 0.2W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4935NCT1G | 功能描述:MOSFET TRENCH 3 S08FL, 30V NCH M RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4935NCT3G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V SO8-FL RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTMFS4935NT1G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4935NT3G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4936N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 79 A, Single N−Channel, SO−8 FL |
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