- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18694 > NTMFS4939NT1G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 9.3A SO8 FL PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTMFS4939NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9.3A SO8 FL |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1954pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 920mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMFS4939NT1GOSDKR |
NTMFS4939N
TYPICAL CHARACTERISTICS
90
80
70
10 V
3.8 V to 6 V
T J = 25 ° C
3.6 V
90
80
70
V DS = 10 V
60
3.4 V
60
50
40
30
3.2 V
3.0 V
50
40
30
T J = 25 ° C
20
10
0
0
1
2
2.4 V
3
2.8 V
2.6 V
4
20
10
0
1.0
1.5
T J = 125 ° C
2.0
2.5
T J = ? 55 ° C
3.0
3.5
4.0
0.016
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.008
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.014
0.012
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.007
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.010
0.008
0.006
0.004
0.006
0.005
0.004
V GS = 10 V
0.002
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
0.003
20
30
40
50
60
70
80
90
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. V GS
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2.0
1.8
1.6
1.4
I D = 30 A
V GS = 10 V
10,000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1.2
1.0
0.8
100
T J = 85 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XRCWHT-L1-0000-002A5 | LED NEUTRAL WHITE 500MA 7X9 SMD |
| 1608 | TRANSFORMER AUDIO 8KCT 10W |
| 1609 | TRANSFORMER AUDIO 10KCT 10W |
| XRCWHT-L1-0000-006F6 | LED NEUTRAL WHITE 500MA 7X9 SMD |
| 125BSE | TRANSFORMER 5W 45MA TUBE SNGL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4939NT3G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4941N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 47 A, Single N−Channel, SO−8 FL |
| NTMFS4941NT1G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4941NT3G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4943N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 41 A, Single N−Channel, SO−8 FL |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。