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参数资料
| 型号： | NTMFS4945NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7.4A SO8 FL |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 24/Jan/2011 |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1205pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 910mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4945N
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
Duty Cycle = 50%
10
1
0.1
0.01
5%
10%
2%
1%
20%
Single Pulse
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME (sec)
Figure 13. Thermal Response
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45 50
ID (A)
Figure 14. GFS vs. ID
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD4905NT4G | MOSFET N-CH 30V 67A SGL DPAK |
| FXO-HC535-1.1 | OSC 1.1 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| FXO-HC535-1.5 | OSC 1.5 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| ATS061CSM-1 | CRYSTAL 6.144 MHZ 32PF SMD |
| ATS051SM-1 | CRYSTAL 5.0688 MHZ SERIES SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4945NT3G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4946N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 100 A, Single N−Channel, SO−8 FL |
| NTMFS4946NT1G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4946NT3G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4955NT1G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 48A 6MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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