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参数资料
| 型号： | NTMS4916NR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11.4A SO8 FL |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1376pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 890mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMS4916N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
25
20
10V
7V
4V
5V
2.8 V
T J = 25 ° C
50
40
V DS ≥ 10 V
15
3.0 V
30
10
2.6 V
20
T J = 125 ° C
5
2.2 V
2.5 V
2.4 V
10
T J = 25 ° C
2.3 V
T J = ? 55 ° C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
0.030
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.01
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.025
T J = 25 ° C
I D = 12 A
0.009
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.020
0.015
0.008
0.010
0.007
V GS = 10 V
0.005
0.006
0.000
3
4
5
6
7
8
9
10
0.005
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
1.70
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
10000
I D, DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.60
1.50
1.40
1.30
1.20
1.10
I D = 12 A
V GS = 10 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.00
0.90
0.80
100
T J = 100 ° C
0.70
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMS4917NR2G | MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8 FL |
| NTMS4920NR2G | MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC |
| NTMS4935NR2G | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC |
| NTMS4937NR2G | MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC |
| NTMS4N01R2G | MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMS4917N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 10.5 A, N?Channel, SO?8 Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses |
| NTMS4917NR2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8 30V 10.2A 11MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS4920N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 17 A, N−Channel, SO−8 |
| NTMS4920NR2G | 功能描述:MOSFET 30V 136A 4.3 mOhm Single N-Chan SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS4935N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 16 A, N−Channel, SO−8 |
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