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参数资料
| 型号： | NTP45N06L |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 45A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 22.5A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTP45N06LOS |
NTP45N06L, NTB45N06L
4000
3600
3200
2800
V DS = 0 V
C iss
C rss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
6
5
4
Q 1
Q T
Q 2
V GS
2400
2000
1600
1200
C iss
3
2
800
400
C oss
C rss
1
I D = 45 A
T J = 25 ° C
0
10
5 V GS 0 V DS 5
10
15
20
25
0
0
4
8
12
16
20
24
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
1000
V DS = 30 V
I D = 45 A
V GS = 5 V
t r
48
40
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t f
t d(off)
32
24
16
8
t d(on)
10
1
10
100
0
0.6
0.64 0.68 0.72 0.76 0.8
0.84 0.88 0.92 0.96 1
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
280
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
10
V GS = 15 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
dc
10 ms
240
200
160
120
I D = 45 A
1 ms
1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
100 m s
80
40
0.1
0.10
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 940C20P15K-F | CAP FILM 0.15UF 2KVDC AXIAL |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTP45N06L/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 45 Amps， 60 Volts， Logic Level |
| NTP45N06LG | 功能描述:MOSFET 60V 45A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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